大家好，我是蜗牛兄，今天给大家分享的是：IGBT（绝缘栅双极型晶体管)在实际应用中最流行和最常见的电子元器件是双极结型晶体管 BJT 和 MOS管。IGBT实物图+电路符号图你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合体，IGBT具有 BJT 的输入特性和 MOS 管的输出特性。与 BJT 或 MOS管相比，绝缘栅双极型晶体管 IGBT 的优势在于它提供了比标准双极型晶体管更大的功率增益，以及更高的工作电压和更低的 MOS 管输入损耗。一、什么是IGBT？IGBT 是绝缘栅双
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IGBT 功率半导体
英飞凌在此发布TRENCHSTOP™ IGBT7 EconoDUAL™ 3系列产品拓展，带焊接针和带预涂导热材料版本(TIM)。产品型号：■ FF900R12ME7■ FF600R12ME7■ FF450R12ME7■ FF900R12ME7W■ FF750R17ME7DP_B11产品特点■ TRENCHSTOP™ IGBT7■ 最高功率密度■ Tvj op=175°C过载■ 集成NTC温度传感器■ 绝缘基板应用价值■ 相同尺寸下输出电流更大■ 避免并联I
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英飞凌 IGBT
关键要点・FO引脚为错误输出功能引脚，用于向外部通知内置保护功能的启动情况，并会为自我保护而关断下桥臂各相的IGBT。・FO输出功能的信号输出时间因已启动的保护功能类型而异，因此可以判别已启动了哪种保护功能。这是本机型产品所具备的功能。・FO引脚的输入功能，通过在FO引脚上连接RC并调整时间常数，可以扩展下桥臂各相IGBT的关断时间。・当FO输出经由隔离器件输入至MCU时，在输出时间隔离器件的传输延迟时间比FO输出的L电平最短时间要长时，需要根据延迟情况来扩展FO输出时间时，可使用该功能。本文将介绍“保护
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罗姆半导体 IGBT
IGBT是一种功率开关晶体管，结合了MOSFET和BJT的优点，用于电源和电机控制电路。绝缘栅双极型晶体管（简称IGBT）是传统双极结型晶体管（BJT）和场效应晶体管（MOSFET）的交叉产物，使其成为理想的半导体开关器件。IGBT晶体管结合了这两种常见晶体管的最佳部分，即MOSFET的高输入阻抗和高开关速度以及双极晶体管的低饱和电压，并将它们结合在一起，产生另一种类型的晶体管开关器件，能够处理大的集电极-发射极电流，而几乎不需要门极电流驱动。典型绝缘栅双极型晶体管 典型IGBT绝缘栅双极型晶体
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绝缘栅双极型晶体管，IGBT
上回书(英飞凌芯片简史 https://www.eepw.com.cn/article/202502/467026.htm)说到，IGBT自面世以来，历经数代技术更迭，标志性的技术包括平面栅+NPT结构的IGBT2，沟槽栅+场截止结构的IGBT3和IGBT4，表面覆铜及铜绑定线的IGBT5等。现今，英飞凌IGBT芯片的“当家掌门”已由IGBT7接任。IGBT7采用微沟槽（micro pattern trench）技术，沟道密度更高，元胞间距也经过精心设计，并且优化了寄生电容参数，从而实现极低的导通压降和优
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IGBT 电力电子
话说公元2018年，IGBT江湖惊现第六代和第七代的掌门人，一时风头无两，各路吃瓜群众纷纷猜测二位英雄的出身来历。不禁有好事者梳理了一下英家这些年，独领风骚的数代当家掌门人，分别是：呃，好像分不清这都谁是谁?呃，虽然这些IGBT“掌门人”表面看起来都一样，但都是闷骚型的。只能脱了衣服，做个“芯”脏手术。。。像这样，在芯片上，横着切一刀看看。好像，有点不一样了。。。故事，就从这儿说起吧。。。史前时代-PTPT是最初代的IGBT，它使用重掺杂的P+衬底作为起始层，在此之上依次生长N+ buffer，N- ba
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IGBT 芯片
铁路与其他客运工具相比，能源效率高，据说其每单位运输量的CO₂排放量约为一般载客车辆的1/7。特别是在长距离运输中，其差距更大，高速铁路网对运输基础设施的节能有很大的推动作用。一直以来，高速铁路网在发达国家运输基础设施中承担着重要的作用，而近年来在新兴发展中国家也出现了铺设高铁的动向。日本已经实现高速铁路网的实用化，拥有该项技术的国家则集聚官民各方力量，加强对正在探讨铺设的国家的推销攻势。在高铁市场竞争过程中，除了高速性、安静性、安全性之外，能否通过削减CO₂实现碳中和等环境性能也成为需要纳入视野的关键点
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碳中和 逆变器 IGBT
安森美（onsemi）在2024年先后推出两款超强功率半导体模块新贵，IGBT模块系列——SPM31 IPM，QDual 3。值得注意的是，背后都提到采用了最新的FS7技术，主要性能拉满，形成业内独特的领先优势。解密FS7“附体”的超能力众所周知，IGBT是一种广泛应用于电力电子领域的半导体器件，结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极结型晶体管（BJT）的优点，具有高输入阻抗和低导通电压降的特点。而安森美的Field Stop技术则是IGBT的一种改进技术，通过在器件的漂移区引入一个场截
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功率半导体 onsemi IGBT
意法半导体的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。STGAP3S 在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间采用增强型电容隔离，瞬态隔离电压 (VIOTM)耐压9.6kV，共模瞬态抗扰度 (CMTI)达到 200V/ns。通过采用这种的先进的电隔离技术，STGAP3S提高了空调、工厂自动化、家电等工业电机驱动装置的可靠性。新驱动器还适合电源和能源应用，包括充电站、储能系统、功率因数校正 (PFC)、
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意法半导体 电隔离栅极驱动器 IGBT SiC MOSFET
为满足电力电子系统对更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增长的需求，功率元件正在不断发展。为了向系统设计人员提供广泛的电源解决方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不同封装、支持多种拓扑结构以及电流和电压范围的IGBT 7器件组合。这一新产品组合具有更高的功率容量、更低的功率损耗和紧凑的器件尺寸，旨在满足可持续发展、电动汽车和数据中心等高增长细分市场的需求。高性能IGBT 7器件是太阳能逆变器、氢能生态系统、商用车和农用车以及更多电动飞机（MEA）中电源应用的关键构件
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Microchip IGBT 7 功率器件
本文由英飞凌科技的现场应用工程师Marcel Morisse与高级技术市场经理Michael Busshardt共同撰写。鉴于迫切的环境需求，我们必须确保清洁能源基础设施的启用，以减少碳排放对环境的负面影响。在这一至关重要的举措中，风力发电技术扮演了关键角色，并已处于领先地位。在过去的20年中，风力涡轮机的尺寸已扩大三倍，其发电功率大幅提升，不久后将突破15MW的大关。因此，先进风能变流器的需求在不断增长。这些变流器在恶劣境条件下工作，需要高度的可靠性和坚固性，以确保较长的使用寿命。为了在限制机柜内元件数
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英飞凌 IGBT
全球正加速向电气化转型，尤其是在交通和基础设施领域。无论是乘用车还是商用/农业车辆(CAV)，都在转向电动驱动。国际能源署(IEA)2022 年的数据显示，太阳能发电量首次超过风电，达到1300TWh。转换能量需要用到逆变器和转换器。太阳能光伏(PV)板产生直流电，而电网中运行的是交流电。电动汽车(EV)的情况类似，其主驱电池系统提供直流电，而发动机中的主驱电机需要交流电。在这两种情况下，电力转换过程的能效具有重要影响，因为任何能量损失都会转化为热量，这就需要风扇或散热器等散热措施，进而会扩大整体解决方案
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QDual3 电源转换 IGBT
摘要本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块，该功率模块采用了先进的第8代IGBT和二极管。与传统功率模块相比，该模块采用了分段式栅极沟槽（SDA）结构，并通过可以控制载流子的等离子体层（CPL）结构减少芯片厚度，从而显著的降低了功率损耗。特别是，在开通dv/dt与传统模块相同的情况下，SDA结构可将Eon降低约60%，通过大幅降低功率损耗，模块可以提高功率密度。通过采用这些技术并扩大芯片面积，第8代1200V IGBT功率模块在相同的三菱电机LV100封装中实现了1800
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三菱电机 IGBT
引言近几年新能源车发展迅猛，技术创新突飞猛进。如何设计更高效的牵引逆变器使整车获得更长的续航里程一直是研发技术人员探讨的最重要话题之一。高效的牵引逆变器需要在功率、效率和材料利用率之间取得适当的平衡。当前新能源汽车牵引逆变器的功率半导体器件几乎都是基于单一的硅基(Si) 或者碳化硅基（SiC）。Si IGBT 或宽带隙 SiC MOSFET功率半导体具有不同的性能特点，可以适合不同的目标应用。单一性质的IGBT器件或SiC器件在逆变器应用中很难同时满足高效和成本的要求。如今越来越多的设计人员希望以创造性的
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英飞凌 IGBT
高频率开关的MOSFET和IGBT栅极驱动器，可能会产生大量的耗散功率。因此，需要确认驱动器功率耗散和由此产生的结温，确保器件在可接受的温度范围内工作。高压栅极驱动集成电路（HVIC）是专为半桥开关应用设计的高边和低边栅极驱动集成电路，驱动高压、高速MOSFET 而设计。《高压栅极驱动器的功率耗散和散热分析》白皮书从静态功率损耗分析、动态功率损耗分析、栅极驱动损耗分析等方面进行了全面介绍。图 1 显示了 HVIC 的典型内部框图。主要功能模块包括输入级、欠压锁定保护、电平转换器和输出驱动级。栅极驱动器损耗
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MOSFET IGBT 栅极驱动器 功率耗散
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